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    光明日报 2019年12月06日 星期五

    陈星弼院士逝世

    作者: 《光明日报》( 2019年12月06日 04版)

        本报成都12月5日电 九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效,于2019年12月4日在四川成都逝世,享年89岁。

        陈星弼,1931年1月28日出生于上海,祖籍浙江浦江,1947年至1952年就读于同济大学电机系,先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院(现电子科技大学)工作。1999年当选为中国科学院院士,2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士(IEEE Life Fellow)。

        陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他发表超过200篇学术论文,获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家,他的超结发明专利打破传统“硅极限”,被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。该发明专利成功转让并实现产业化,目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。

        陈星弼曾获得诸多荣誉,包括国家发明奖及科技进步奖2项,省部级奖励13项。2015年获得IEEE ISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”,成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂,成为首位入选名人堂的华人科学家。

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