砥砺奋进，坚持半导体技术自主创新

  【一线讲述】

  2019年，在新加坡求学和工作近15年后，我回到国内，加入西安电子科技大学郝跃院士领衔的宽禁带半导体团队。一年后，我来到中新广州知识城，协助筹划和建设西安电子科技大学广州第三代半导体创新中心。

  作为一种宽禁带半导体材料，氮化镓在射频、电力电子、光电子等应用领域比硅、砷化镓等材料具有明显性能优势，也是国际上半导体和集成电路产业的竞争热点之一。西安电子大学的宽禁带半导体团队在这一领域有20余年的研究经历，在氮化镓的装备、材料、器件到系统的基础研究方面取得了很多重要的成果，广州第三代半导体创新中心承担着氮化镓工程化技术的创新研究和产业化的重要任务，重点围绕氮化镓射频、电力电子器件，进行创新型技术研发和产业化。

  硅基氮化镓射频器件和集成电路兼具功率高、效率高、易集成、耐高温、抗辐照和加工制造低成本的优点，在下一代移动通信终端、工业互联网、车联网、局域网等通信系统应用领域具有很大潜力，也是容易被“卡脖子”的关键技术之一。我们团队在实验室里成功开发基于硅基氮化镓的微波、毫米波和太赫兹器件关键材料技术和工艺制备技术，获得国际领先成果，正在转移到广州创新中心的中试线，进行小规模量产。

  党的二十大报告提出“深入实施科教兴国战略、人才强国战略、创新驱动发展战略”“加快实现高水平科技自立自强”，让我十分振奋。作为一线科研工作者，今后我将继续脚踏实地、砥砺奋进，为加快实现我国高水平科技自立自强贡献力量。

  （本报记者吴春燕、唐一歌采访整理）