梁骏吾院士逝世

  本报北京6月24日电 中国共产党党员、中国工程院院士、著名半导体材料学家、中国科学院半导体研究所研究员、我国早期半导体硅材料的奠基人梁骏吾同志因病医治无效，于2022年6月23日在北京逝世，享年89岁。

  梁骏吾，1933年9月18日生于湖北武汉。1955年毕业于武汉大学，1956年至1960年就读于苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所并获得副博士学位，同年到中国科学院半导体研究所工作至今。1997年当选中国工程院院士。

  梁骏吾为我国半导体材料领域的学科建设、技术创新、产业振兴以及人才培养作出了重要贡献。曾解决高纯区熔硅的关键技术；制备出室温激光器用GaAs液相外延材料；研制为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶；首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题；研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将我国超晶格量子阱材料推进到实用水平。主持“七五”“八五”重点硅外延攻关，完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。还在太阳电池用多晶硅的研究和产业化等方面发挥着积极作用。曾先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖、国家科技进步三等奖等各种科技奖共20余次。