纳米尺度晶体管

    澳大利亚科学家研制出由氧化钼晶体制成的新型二维纳米材料，有可能给电子工业带来革命。

    新研制的材料厚度仅有11纳米，由于具有间隙，电子在新材料内部极少因遇到“路障”而散射，能以极高的速度流畅地运动。利用这种新材料可研制出更小、数据传输速度更快的电子元件和产品，例如性能与台式电脑相当的平板电脑。

    科学家说，他们是从石墨烯中得到启发，将氧化钼制成类似石墨烯的薄片后，既支持电子高速运动，其半导体特性又适合制造晶体管。研究小组已经用新材料制造出纳米尺度的晶体管。他们预计，如果被电子工业所接受，氧化钼有可能在5年到7年内成为电子产品的标准材料。