日本制造出超级硅薄膜

    日本北陆尖端科学技术大学院大学日前宣布，其研究小组开发出能制作大面积硅薄膜“silicene”的技术。这种只有一个原子厚的薄膜，具备半导体的性质，有望用于制造高速电子线路等。研究小组在2厘米长、1厘米宽的硅基板表面，覆盖上陶瓷薄膜，然后在特殊真空装置中将其加热到900摄氏度。于是，硅基板所含的硅元素就穿透陶瓷薄膜，出现在陶瓷薄膜表面，形成硅薄膜。如果将基板做得更大，就可以制作出更大面积的硅薄膜。只有一个碳原子厚的石墨烯是迄今世界上最薄的材料，它的发明者因为这种具备诸多神奇性质的材料获得了2010年诺贝尔物理学奖。研究小组带头人高村由起子副教授指出：“今后的课题是弄清‘silicene’的形成机制，并开发出将这种薄膜从基板上剥离下来的技术。”（据新华社）